单（多）晶少子寿命测试仪
型号LT-2
LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单（多）晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
本仪器根据通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。
技 术 指 标：
测试单晶电阻率范围>2Ω.cm
可测单晶少子寿命范围5μS～7000μS
配备光源类型波长：1.09μm；余辉<1μS；
闪光频率为：20～30次／秒；
闪光频率为：20～30次／秒；
高频振荡源用石英谐振器，振荡频率：30MHz
前置放大器放大倍数约25，频宽2Hz-1MHz
仪器测量重复误差<±20％
测量方式采用对标准曲线读数方式
仪器消耗功率<25W
仪器工作条件温度：10-35℃、湿度<80％、使用电源：AC220V，50Hz
可测单晶尺寸断面竖测：φ25mm—150mm；L2mm—500mm；
纵向卧测：φ25mm—150mm；L50mm—800mm；
配用示波器频宽0—20MHz；
电压灵敏：10mV／cm。
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